在材料科学、半导体、新能源等前沿领域，TEM/SEM/FIB测试已成为纳米尺度表征的“标配”。然而，由于设备复杂、样品敏感、操作专业性强，实践中常因认知偏差或操作不当导致数据误读，甚至得出错误结论。
常见误区一：将SEM图像直接当作真实三维形貌。
SEM仅提供表面二维投影信息，高深宽比结构(如纳米线阵列)易因电子阴影效应产生视觉扭曲。若未结合多角度成像或3D重构，可能误判孔隙连通性或颗粒堆叠状态。
误区二：忽视FIB制样引入的人为损伤。
FIB使用镓离子束切割样品，虽精度达纳米级，但高能离子轰击会在TEM样品边缘形成非晶层或注入污染，尤其对电子束敏感材料(如钙钛矿、MOFs)影响显著。若未进行低电压清洗或低温FIB处理，高分辨TEM图像可能反映的是“损伤结构”而非本征物相。
误区三：EDS元素分析未做定量校正。
许多用户直接依据SEM-EDS谱峰高度判断元素含量，却忽略原子序数效应、吸收效应及荧光效应的影响。例如，轻元素(如C、O)信号易被重元素掩盖，导致成分误判。正确做法是采用ZAF或φ(ρz)模型进行定量修正，并配合标样验证。
误区四：TEM选区衍射误标晶面指数。
在多晶或取向混杂样品中，若未结合高分辨像或电子衍射模拟软件，极易将多重衍射斑点误认为单一晶相，造成晶体结构错误解析。
误区五：忽略测试条件对结果的影响。
加速电压过高可能导致聚合物碳化；束流过大会使电池材料脱锂；真空度不足则引发样品污染。这些“隐形变量”常被忽视，却直接影响数据可重复性。
因此，科研人员应树立“数据需验证”的意识：关键结论应通过多技术交叉印证，并详细记录测试参数。同时，与专业测试工程师充分沟通样品特性与科学问题，方能避免“看得见却看不懂”的陷阱，真正发挥TEM/SEM/FIB三位一体的强大表征能力。
更新时间：2025-11-22
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